|
|
|
您当前的位置：公司首页>新闻
|
单电子元件在日本问世
据报道，日本电信电话公司（NTT）3月30日宣布，已开发出一种单电子元件，虽然还必须将其冷却到超低温，但其结构简单，可在硅基板上高密度集成，耗电量仅为现在采用的电子元件的十万分之一。它将有别于现今的半导体晶体管，可作为新一代大规模集成电路（LSI）的基本元件。新开发的元件用厚度仅为20纳米的超薄硅线路连接着3个电极，改变细线上电极的电压，就可以控制单个电子在细线内自由流动。科研人员通过检测硅电极间的电流值确认了单电子的动作。在此之前，单电子晶体管虽已问世，但其封闭电子的部分是一个特殊的结构，而且需要微细加工技术。同时，把电机有安装在这一结构上的工艺技术要求也十分复杂。NTT新研制的这种单电子元件是以电压原理来控制单电子的移动的，而且制做简单，不需微细加工过程。只是这种单电子元件目前尚需冷却到零下248℃，这一点尚待改进。
|
|
|
